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行 flash 存储器 W25Q128 为那些对空间大小，引脚数，功耗有限制的系统提供了一个存储解决方案。25Q 系列的灵活性和性能比一般的串行 flash 设备要高。利用串行FLASH 可以实现代码映射到 RAM，直接通过 SPI 方式来执行代码，存储声音， 文本， 数据。 W25Q128 供电范围为 2.7——3.6V， 在激活状态下电流功耗低到 4MA，睡眠状态下则降低到 1UA。

W25Q128支持标准串行外围接口（SPI），和高速的双倍/四倍输出。SPI支持80MHz，当用快读双倍/四倍指令时，相当于双倍输出时速率160MHz，四倍输出时速率320MHz。这个传输速率比得上8位和16位的并行Flash存储器。

57.2 特征

●SPI串行存储器系列

-W25Q80:8M位/1M字节(1,048,576)位

-W25Q16:16M位/2M字节(2,097,152)位

-W25Q32:32M位/4M字节(4,194,304)位

●标准、双倍和四倍SPI

-标准SPI:CLK、CS、DI、DO、WP、HOLD

-双倍SPI:CLK、CS、IO0、IO1、WP、HOLD

-四倍SPI:CLK、CS、IO0、IO1、IO2、IO3

●高性能串行Flash存储器

-比普通串行Flash性能高6倍

-80MHz时钟频率

-双倍SPI相当于160MHz

-四倍SPI相当于320MHz

-40MB/S连续传输数据

-30MB/S随机存取（每32字节）

-比得上16位并行存储器

●低功耗、宽温度范围

●灵活的4KB扇区结构

-统一的扇区擦除（4K字节）

-块擦除（32K和64K字节）

-编程256字节

-性编程保护

-每256字节可编程页

-至少100,000写/擦除周期

-数据保存20年

●的安全特点

-软件和硬件写保护

-选择扇区和块保护

-每个设备具有的64位ID

●封装

-8-pin SOIC 208-mil